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IRF7467
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.029
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
–––
9.4
12 V GS = 10V, I D = 11A
?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
10.6
13.5 m ?
V GS = 4.5V, I D = 9.0A
?
–––
17
35 V GS = 2.8V, I D = 5.5A
?
V GS(th)
Gate Threshold Voltage 0.6
–––
2.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
I DSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
–––
–––
20 V DS = 16V, V GS = 0V
μA
100 V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage –––
Gate-to-Source Reverse Leakage –––
–––
–––
200 V GS = 12V
nA
-200 V GS = -12V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 9.0A
g fs
Q g
Q gs
Q gd
Q oss
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
28
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
21
6.7
5.8
21
7.8
2.5
19
––– S V DS = 16V, I D = 9.0A
32 I D = 9.0A
10 nC V DS = 15V
8.7 V GS = 4.5V ?
29 V GS = 0V, V DS = 15V
––– V DD = 15V,
ns
––– R G = 1.8 ?
t f
C iss
C oss
C rss
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
4.0
2530
706
46
––– V GS = 4.5V
––– V GS = 0V
––– V DS = 15V
––– pF ? = 1.0MHz
?
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
–––
–––
223
11
mJ
A
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
2.3
90
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
––– 0.79
––– 0.65
1.3
–––
V
T J = 25°C, I S = 9.0A, V GS = 0V
T J = 125°C, I S = 9.0A, V GS = 0V
?
t rr
Q rr
t rr
Q rr
Reverse
Reverse
Reverse
Reverse
Recovery Time
Recovery Charge
Recovery Time
Recovery Charge
––– 40
––– 56
––– 43
––– 64
60
84
65
96
ns
nC
ns
nC
T J = 25°C, I F = 9.0A, V R = 15V
di/dt = 100A/μs ?
T J = 125°C, I F = 9.0A, V R =15V
di/dt = 100A/μs ?
2
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